基本信息
| 标准名称： | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 |
| 英文名称： | Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料的其他试验方法 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2011-01-10 |
| 实施日期： | 2011-10-01 |
| 首发日期： | 2011-01-10 |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 归口单位： | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
| 起草单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 起草人： | 陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2011-10-01 |
| 页数： | 16页 |
适用范围
本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。
前言
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目录
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所属分类： 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法 冶金 金属材料试验 金属材料的其他试验方法